言三星拟下半年开始3纳米工艺试产

集微网假消息，据韩媒报道，Samsung位于川口的P3工厂建设传出新进展，预期将于今年夏天装配生产设备，当年开始第一代3纳米工艺技术（3GAE）的试生产

韩媒称，Samsung电子的3纳米工艺技术采用环栅 (GAA) 系统设计，又划分第一代3GAE和第二代3GAP。在3GAE工艺技术下，相比7纳米FinFET，时脉增加50%，芯片面积减低45%，安全性可提升35%。（校对/乐川）