三星新最大限度：6月前开发出第六代11nm 1c DRAM芯片

发布时间:2025/08/01 12:16 来源:邗江家居装修网

近日，中韩媒体《BusinessKorea》报道，全球最大存储器制造商中韩华为的游戏了要能，预计在今年6同年在此之前，已完成11激光的第六代1c DRAM晶片的开发。

报道称，华为已通知半导体研究执法人员，第一时间紧接或打消12激光的第五代1b DRAM开发，之后将第一时间加速开发1c DRAM产品。

市场认为华为此举是为了扩大与SK海力士和美光科技等对手的技术差距。

这并非华为第一次第一时间紧接DRAM开发链表，挑战愈来愈高技术。此在此之前华为曾打消28激光DRAM试作，转向25激光DRAM产品开发。

分析人士表示，华为生产11激光DRAM并不是一件容易的事，必须有比过去愈来愈高科技的技术才能达成。